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财联社9月1日讯，受人工智能基础设施需求扩张推动 ，今年8月
，全球DRAM与NAND闪存平均费用 再度创下历史新高 。不过，相较于7月 ，8月的存储芯片涨价幅度有所收窄：DRAM环比涨幅为4.2%，NAND闪存环比涨幅为1.4%
。

市场调研机构集邦询问 （DRAMeXchange）本周二（9月1日）发布的数据显示
，8月标准PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）平均合约价为25美元，较上月24美元上涨4.2%。对比该机构2016年6月开启统计时的2.90美元 ，涨幅已超七倍 。

回望过去一年多DDR4的费用 趋势：自去年4月至今年2月
，DDR4均价连续11个月实现两位数涨幅。但在3月DDR4费用 环比持平，之后除5月涨幅为5%外 ，4月 、6月和7月再度录得两位数上涨
，直至8月涨价节奏再次放缓
。

在8月费用 数据出炉后，集邦询问 将第三季度PC DRAM合约价环比涨幅预期由此前的15-20%上调至18-23%。其指出 ，“绝大多数供应商与PC原始设备制造商（OEM）已于8月完成第三季度合约价谈判”
，同时表示“第三季度涨价幅度相较于第二季度的暴涨（45-50%）已经回落 ” 。

8月用于存储卡与U盘的标准NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）平均合约价为30.50美元，较上月30.10美元仅上涨1.4% ，实现连续20个月费用 上行
。

单阶存储单元（SLC）8月平均销售费用 涨幅从7月的34-51%收窄至16-28%；多层存储单元（MLC）环比涨幅仅为1.4-1.5%。

集邦询问 判断：“SLC费用 在第三季度后大概率延续上涨
，但涨幅或将持续缩小”，并预测：“由于成本压力愈发挤压终端利润 ，买方后续采购意愿减弱，MLC的上涨态势将进一步降温 。
”